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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor27365+￥33.520550+￥32.0880200+￥31.2858500+￥31.08531000+￥30.88472500+￥30.65555000+￥30.51237500+￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHF22N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V61295+￥13.490150+￥12.9136200+￥12.5908500+￥12.51011000+￥12.42932500+￥12.33715000+￥12.27957500+￥12.2218 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6024KNZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新208610+￥10.4160100+￥9.8952500+￥9.54801000+￥9.53062000+￥9.46125000+￥9.37447500+￥9.305010000+￥9.2702 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6020KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新17915+￥19.620950+￥18.7824200+￥18.3128500+￥18.19551000+￥18.07812500+￥17.94395000+￥17.86017500+￥17.7762 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V87125+￥12.402050+￥11.8720200+￥11.5752500+￥11.50101000+￥11.42682500+￥11.34205000+￥11.28907500+￥11.2360 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V976410+￥7.2960100+￥6.9312500+￥6.68801000+￥6.67582000+￥6.62725000+￥6.56647500+￥6.517810000+￥6.4934 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道52745+￥28.431050+￥27.2160200+￥26.5356500+￥26.36551000+￥26.19542500+￥26.00105000+￥25.87957500+￥25.7580 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635+￥26.991950+￥25.8384200+￥25.1924500+￥25.03101000+￥24.86952500+￥24.68495000+￥24.56967500+￥24.4542 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V196010+￥10.1160100+￥9.6102500+￥9.27301000+￥9.25612000+￥9.18875000+￥9.10447500+￥9.037010000+￥9.0032 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V960410+￥8.6880100+￥8.2536500+￥7.96401000+￥7.94952000+￥7.89165000+￥7.81927500+￥7.761310000+￥7.7323 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295+￥25.599650+￥24.5056200+￥23.8930500+￥23.73981000+￥23.58662500+￥23.41165000+￥23.30227500+￥23.1928 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V550010+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPW17N80C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V95255+￥22.101350+￥21.1568200+￥20.6279500+￥20.49571000+￥20.36342500+￥20.21235000+￥20.11797500+￥20.0234 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新61875+￥17.795750+￥17.0352200+￥16.6093500+￥16.50291000+￥16.39642500+￥16.27475000+￥16.19877500+￥16.1226 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics15965+￥26.769650+￥25.6256200+￥24.9850500+￥24.82481000+￥24.66462500+￥24.48165000+￥24.36727500+￥24.2528 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V75145+￥5.278525+￥4.887550+￥4.6138100+￥4.4965500+￥4.41832500+￥4.32065000+￥4.281510000+￥4.2228 -
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品类: 中高压MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET45605+￥12.156350+￥11.6368200+￥11.3459500+￥11.27321000+￥11.20042500+￥11.11735000+￥11.06547500+￥11.0134 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPW90R1K0C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V690310+￥11.5200100+￥10.9440500+￥10.56001000+￥10.54082000+￥10.46405000+￥10.36807500+￥10.291210000+￥10.2528 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP17N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V52905+￥26.523950+￥25.3904200+￥24.7556500+￥24.59701000+￥24.43832500+￥24.25695000+￥24.14367500+￥24.0302 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPA65R190C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V53095+￥12.004250+￥11.4912200+￥11.2039500+￥11.13211000+￥11.06032500+￥10.97825000+￥10.92697500+￥10.8756 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA08N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V98025+￥33.520550+￥32.0880200+￥31.2858500+￥31.08531000+￥30.88472500+￥30.65555000+￥30.51237500+￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V11765+￥15.853550+￥15.1760200+￥14.7966500+￥14.70181000+￥14.60692500+￥14.49855000+￥14.43087500+￥14.3630 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFBF20SPBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V95645+￥5.697025+￥5.275050+￥4.9796100+￥4.8530500+￥4.76862500+￥4.66315000+￥4.620910000+￥4.5576 -
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品类: 中高压MOS管描述: N沟道功率MOSFET的600 V ， 8.5 N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.570745+￥12.051050+￥11.5360200+￥11.2476500+￥11.17551000+￥11.10342500+￥11.02105000+￥10.96957500+￥10.9180 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新62631+￥70.518010+￥67.4520100+￥66.9001250+￥66.4709500+￥65.79641000+￥65.48982500+￥65.06055000+￥64.6926 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHG47N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-369171+￥42.626810+￥40.1810100+￥38.3641250+￥38.0846500+￥37.80511000+￥37.49062500+￥37.21115000+￥37.0364 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V79805+￥5.467525+￥5.062550+￥4.7790100+￥4.6575500+￥4.57652500+￥4.47535000+￥4.434810000+￥4.3740 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V30455+￥13.209350+￥12.6448200+￥12.3287500+￥12.24971000+￥12.17062500+￥12.08035000+￥12.02397500+￥11.9674 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA06N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V66285+￥6.493525+￥6.012550+￥5.6758100+￥5.5315500+￥5.43532500+￥5.31515000+￥5.267010000+￥5.1948
